| Artikelnummer | IPG20N04S408AATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2940pF @ 25V |
| Leistung max | 65W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-10 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
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