IPG20N04S4L07ATMA1

IPG20N04S4L07ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPG20N04S4L07ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
38513 pcs
Referenzpreis
USD 0.7008/pcs
Unser Preis
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IPG20N04S4L07ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPG20N04S4L07ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 25V
Leistung max 65W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4
Gewicht -
Ursprungsland -

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