| Artikelnummer | IPG20N06S415ATMA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
| Leistung max | 50W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
 |
IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | Einzelheiten |
|
IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Einzelheiten |
|
IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
|
IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Einzelheiten |
