IPG20N06S2L50ATMA1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IPG20N06S2L50ATMA1 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
20A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
50 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 19µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
17nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
560pF @ 25V |
Leistung max |
51W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket |
PG-TDSON-8-4 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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