IPG20N06S2L35AATMA1

IPG20N06S2L35AATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPG20N06S2L35AATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.5698/pcs
Unser Preis
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IPG20N06S2L35AATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPG20N06S2L35AATMA1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 27µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V
Leistung max 65W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10
Gewicht -
Ursprungsland -

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