| Artikelnummer | IPD65R950CFDATMA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | Einzelheiten |
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IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | Einzelheiten |
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IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Einzelheiten |
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IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Einzelheiten |
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IPD65R1K4CFDATMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | Einzelheiten |
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IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Einzelheiten |
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IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | Einzelheiten |
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IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | Einzelheiten |
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IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | Einzelheiten |
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IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Einzelheiten |
