| Artikelnummer | IPD65R1K0CEAUMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 68W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 | Einzelheiten |
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