IPD65R950CFDATMA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPD65R950CFDATMA2
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	-
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IPD65R190C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 13A TO-252	Détails
IPD65R1K0CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V TO-252	Détails
IPD65R1K4C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-3	Détails
IPD65R1K4CFDATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252	Détails
IPD65R1K4CFDATMA2	Infineon Technologies	LOW POWERLEGACY	Détails
IPD65R1K4CFDBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252	Détails
IPD65R1K5CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-252-3	Détails
IPD65R225C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3	Détails
IPD65R250C6XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252	Détails
IPD65R250E6XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-3	Détails