IPD60R600C6BTMA1

IPD60R600C6BTMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPD60R600C6BTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4264 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPD60R600C6BTMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPD60R600C6BTMA1
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 63W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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