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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPD60R360P7ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
36431 pcs
Referenzpreis
USD 0.7127/pcs
Unser Preis
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IPD60R360P7ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPD60R360P7ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 41W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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