| Artikelnummer | IPB06P001LATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Einzelheiten |
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IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | Einzelheiten |
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IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Einzelheiten |
