| Artikelnummer | IPB065N15N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Einzelheiten |
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IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | Einzelheiten |
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IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Einzelheiten |
