| Artikelnummer | IPB065N03L G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 56W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB009N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | Einzelheiten |
|
IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
