FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF75R12YT3BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF75R12YT3BOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4637 pcs
Referenzpreis
USD 35.498/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF75R12YT3BOMA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 345W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FF75R12YT3BOMA1