FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FF75R12YT3BOMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FF75R12YT3BOMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4637 pcs
Prix ​​de référence
USD 35.498/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1 Description détaillée

Numéro d'article FF75R12YT3BOMA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 345W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FF75R12YT3BOMA1