FF75R12RT4HOSA1

FF75R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF75R12RT4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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FF75R12RT4HOSA1 PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3007 pcs
Referenzpreis
USD 54.72/pcs
Unser Preis
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FF75R12RT4HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF75R12RT4HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 395W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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