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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF200R12KT4HOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1555 pcs
Referenzpreis
USD 105.85/pcs
Unser Preis
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FF200R12KT4HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF200R12KT4HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 320A
Leistung max 1100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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