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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
FF200R12KT4HOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT MODULE 1200V 200A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FF200R12KT4HOSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1555 pcs
Prezzo di riferimento
USD 105.85/pcs
Il nostro prezzo
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FF200R12KT4HOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte FF200R12KT4HOSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 320A
Potenza - Max 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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