FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF200R12KE3B2HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF200R12KE3B2HOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1422 pcs
Referenzpreis
USD 115.745/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF200R12KE3B2HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 295A
Leistung max 1050W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FF200R12KE3B2HOSA1