DF80R12W2H3FB11BPSA1

DF80R12W2H3FB11BPSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2242 pcs
Referenzpreis
USD 73.37933/pcs
Unser Preis
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DF80R12W2H3FB11BPSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF80R12W2H3FB11BPSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.35nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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