DF80R12W2H3FB11BPSA1 - Infineon Technologies

номер части	DF80R12W2H3FB11BPSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	20A
Мощность - макс.	20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 20A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	2.35nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DF80R12W2H3FB11BOMA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	подробности
DF80R12W2H3FB11BPSA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1	подробности
DF80R12W2H3_B11	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 160A	подробности