DF80R12W2H3_B11

DF80R12W2H3_B11 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF80R12W2H3_B11
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 160A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3445 pcs
Referenzpreis
USD 47.77467/pcs
Unser Preis
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DF80R12W2H3_B11 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF80R12W2H3_B11
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang -
NTC-Thermistor -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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