BSZ42DN25NS3 G

BSZ42DN25NS3 G - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSZ42DN25NS3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.4499/pcs
Unser Preis
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BSZ42DN25NS3 G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSZ42DN25NS3 G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 13µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 33.8W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 425 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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