BSZ42DN25NS3 G - Infineon Technologies

Número de pieza: BSZ42DN25NS3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 12500 pcs
Precio de referencia: USD 0.4499/pcs
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Número de pieza	BSZ42DN25NS3 G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 13µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	425 mOhm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSZ42DN25NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8	Detalles
	BSZ42DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8	Detalles