BSZ42DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ42DN25NS3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	425 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 13µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	33.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	BSZ42DN25NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8	Einzelheiten
	BSZ42DN25NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8	Einzelheiten