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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGT1S7N60A4DS
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HGT1S7N60A4DS PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
HGT1S7N60A4DS.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4360 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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HGT1S7N60A4DS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGT1S7N60A4DS
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 34A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 56A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Leistung max 125W
Energie wechseln 55µJ (on), 60µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 37nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 11ns/100ns
Testbedingung 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 34ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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