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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGT1S10N120BNST
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HGT1S10N120BNST PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
11147 pcs
Referenzpreis
USD 2.3051/pcs
Unser Preis
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HGT1S10N120BNST detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGT1S10N120BNST
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 35A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max 298W
Energie wechseln 320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/165ns
Testbedingung 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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