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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGT1S12N60A4S9A
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HGT1S12N60A4S9A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
HGT1S12N60A4S9A.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3876 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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HGT1S12N60A4S9A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGT1S12N60A4S9A
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 54A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 96A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Leistung max 167W
Energie wechseln 55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/96ns
Testbedingung 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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