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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
HGT1S12N60A4S9A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
HGT1S12N60A4S9A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
HGT1S12N60A4S9A.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3701 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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HGT1S12N60A4S9A Description détaillée

Numéro d'article HGT1S12N60A4S9A
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Puissance - Max 167W
Échange d'énergie 55µJ (on), 50µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 78nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns
Condition de test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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