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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › HGT1S3N60A4DS9A
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGT1S3N60A4DS9A
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HGT1S3N60A4DS9A PDF-Online-Browsing
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HGT1S3N60A4DS9A.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4179 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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HGT1S3N60A4DS9A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGT1S3N60A4DS9A
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 17A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Leistung max 70W
Energie wechseln 37µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 6ns/73ns
Testbedingung 390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 29ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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