FDS6900AS

FDS6900AS - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FDS6900AS
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FDS6900AS PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
37500 pcs
Referenzpreis
USD 0.4605/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FDS6900AS

FDS6900AS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDS6900AS
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.9A, 8.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V
Leistung max 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FDS6900AS