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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2104ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
MOSFET 2NCH 100V 23A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2104ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 5.3708/pcs
Unser Preis
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EPC2104ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2104ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 23A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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