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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT

EPC2039ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2039ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2039ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3928 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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EPC2039ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2039ENGRT
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 40V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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