EPC2033ENGRT

EPC2033ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2033ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 5.3708/pcs
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EPC2033ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2033ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 75V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 25A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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