EPC2032ENGR detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
EPC2032ENGR |
| Teilstatus |
Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
48A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 11mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
15nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1530pF @ 50V |
| Vgs (Max) |
+6V, -4V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
- |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4 mOhm @ 30A, 5V |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
Die |
| Paket / Fall |
Die |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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