| Artikelnummer | ZXMN2A04DN8TA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.1nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 10V |
| Leistung max | 1.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2069FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH SOT23-3 | Einzelheiten |
 |
ZXMN2088DE6 | DIODES | ZXMN2088DE6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
ZXMN2088DE6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 | Einzelheiten |
|
ZXMN20B28K | DIODES | MOSFETs optimised for Voice over Internet Protocol (VoIP) | Einzelheiten |
 |
ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK | Einzelheiten |
|
ZXMN2A01E6 | DIODES | ZXMN2A01E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 | Einzelheiten |
|
ZXMN2A01E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | Einzelheiten |
|
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Einzelheiten |
