ZXMN2A04DN8TA - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMN2A04DN8TA
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 1.2478/pcs
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Número de pieza	ZXMN2A04DN8TA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1880pF @ 10V
Potencia - Max	1.8W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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