ZXMN2088DE6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer	ZXMN2088DE6TA
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	279pF @ 10V
Leistung max	1.1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6
Lieferantengerätepaket	SOT-23-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ZXMN2069FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH SOT23-3	Einzelheiten
ZXMN2088DE6	DIODES	ZXMN2088DE6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMN2088DE6TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26	Einzelheiten
ZXMN20B28K	DIODES	MOSFETs optimised for Voice over Internet Protocol (VoIP)	Einzelheiten
ZXMN20B28KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK	Einzelheiten
ZXMN2A01E6	DIODES	ZXMN2A01E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMN2A01E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6	Einzelheiten
ZXMN2A01E6TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6	Einzelheiten
ZXMN2A01FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3	Einzelheiten
ZXMN2A01FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3	Einzelheiten