ZXMN10A11GTC detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
ZXMN10A11GTC |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
5.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
274pF @ 50V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
350 mOhm @ 2.6A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-223 |
Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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