ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXMN10A11GTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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ZXMN10A11GTC Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXMN10A11GTC
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Peso -
Paese d'origine -

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