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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DRDNB16W-7
DRDNB16W-7

DRDNB16W-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DRDNB16W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DRDNB16W-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
52500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1089/pcs
Unser Preis
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DRDNB16W-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DRDNB16W-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased + Diode
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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