DRDNB16W-7

DRDNB16W-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DRDNB16W-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DRDNB16W-7 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
52500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1089/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DRDNB16W-7

DRDNB16W-7 Description détaillée

Numéro d'article DRDNB16W-7
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased + Diode
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 1k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DRDNB16W-7