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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DRDN010W-7
DRDN010W-7

DRDN010W-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DRDN010W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 18V 1A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DRDN010W-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
112500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1089/pcs
Unser Preis
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DRDN010W-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DRDN010W-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN + Diode (Isolated)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 18V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 30mA, 300mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 1V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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