DMP10H400SEQ-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMP10H400SEQ-13 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.3A (Ta), 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
17.5nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1239pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2W (Ta), 13.7W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
250 mOhm @ 5A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-223 |
Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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