| Artikelnummer | APT17NTR-G1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 480V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 20V |
| Leistung max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Einzelheiten |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Einzelheiten |
