2N5179 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
2N5179 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
12V |
Frequenz - Übergang |
2GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
4.5dB @ 200MHz |
Gewinnen |
15dB |
Leistung max |
200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
25 @ 3mA, 1V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
50mA |
Betriebstemperatur |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Lieferantengerätepaket |
TO-72 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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