• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2N1016C
2N1016C

2N1016C - Microsemi Corporation

Artikelnummer
2N1016C
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
NPN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N1016C PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
120 pcs
Referenzpreis
USD 1351.322/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2N1016C

2N1016C detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N1016C
Teilstatus Active
Transistor-Typ -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2N1016C

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors Einzelheiten
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N107 2N107 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1086 2N1086 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten