| Numero di parte | 2N5179 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 2GHz |
| Figura del rumore (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
| Guadagno | 15dB |
| Potenza - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
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