| Artikelnummer | 2N4250 |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 40V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 5V |
| Leistung max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 50MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-106-3 Domed |
| Lieferantengerätepaket | TO-106 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Einzelheiten |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
