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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2N4123
2N4123

2N4123 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer
2N4123
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N4123 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
175000 pcs
Referenzpreis
USD 0.1827/pcs
Unser Preis
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2N4123 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N4123
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 2mA, 10V
Leistung max 1.5W
Frequenz - Übergang 250MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92
Gewicht -
Ursprungsland -

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